Emerging Electronic Device
Research Group
YONSEI UNIVERSITY
Patent
2023
10-2510977, “영역 선택적 금속 박막 및 이의 제조방법”
2021
10-2347201, “실리콘 아미노아미드 이미드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법”
10-2327450, “4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막증착용 조성물”
10-2226791, “소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리”
10-2226767, “에너지 고 효율이 가능한 ReRAM의 제조 방법”
10-2210615, “멀티 비트 연산을 위해 최적화된 저항 스위칭 장치의 제조 방법”
10-2275037, “화학 기상 증착 반응 장치”
10-2283752, “신규한 4족 전이금속 화합물 및 이의 제조방법”
10-2286114, “4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법”
10-2267721, “고체 산화물 연료전지용 연료극 제조방법”
2020
10-2091804, “폐 RE:YAG 결정으로부터 희토류 성분의 회수방법”
US 10,770,139, “가변 저항 메모리 장치 및 그것의 동작 방법(VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF)”
10-2142563, “저 전력 및 고 신뢰성 멀티 비트 동작이 가능한 저항 스위칭 장치”
10-2182245, “구리 알콕시알킬아미드 화합물, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법”
2019
10-2040103, “가변 저항 메모리 장치 및 그것의 동작 방법”
10-1947129, “절연성, 분산성 및 저항성이 향상된 안료 입자”
10-1973700, “망간 아미노아미드 아미드 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법”
10-2000572, “망간 아미노아미드 아미디네이트 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법”
10-2029071, “13족 금속 전구체, 이를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 박막의 제조방법”
2018
10-1843959, “웨어러블 디바이스용 열전발전 시스템”
2017
10-1349569, “저항 변화 메모리 소자 (Resistive switching memory device)”